Í IGBT/SiC krafteiningum gegnir keramik undirlagið sem ber flögurnar samtímis mörgum hlutverkum, þar á meðal vélrænni stuðningi, raftengingu og hitaleiðni. Vegna umtalsverðra frammistöðukosta sinna eru AMB (Active Metal Brazing) keramikhvarfefni smám saman að skipta DBC (Direct Bonded Copper) keramikhvarfefni af hólmi á mörgum sviðum með mikla-áreiðanleika, verða kjarnaefni í geimferðum, nýjum orkutækjum, iðnaðarnotkun og öðrum geirum, með vænlegum þróunarhorfum.
Þar sem aflhálfleiðarar halda áfram að þróast í átt að meiri aflþéttleika og meiri áreiðanleika, eru efniskerfið og yfirborðsbyggingin að verða lykilþættir sem ákvarða efri mörk frammistöðu og kostnaðarmörk. Fyrir SiC tæki sem starfa við háa-spennu og háan-hitaskilyrði, þjást hefðbundin Ag-Cu-Ti-byggð AMB undirlag fyrir galla eins og bilun í silfurflutningi og sveiflur í kostnaði. Vegna langrar-lífs og mikillar-áreiðanleika þjónustukrafna mikils-afltækja sem notuð eru í 800V bílapöllum fyrir ný orkutæki, flutninga á járnbrautum og rafmagnsnetum, hefur jafnvægiskostnaður og áreiðanleiki orðið aðal stefna í hagræðingu meðal helstu framleiðenda.
Hröð þróun hálfleiðara og rafrænna upplýsingaiðnaðarins hefur sett meiri kröfur um afköst á kjarnaefni. Sem lykilundirstöðuefni með fjölnota tengieiginleika-þar á meðal rafmagns-, segul-, varma- og vélræna eiginleika-eru rafrænt keramik mikið notað í kjarnaíhluti eins og þétta, síur, skynjara og umbúðir. Þar á meðal tákna keramik hvarfefni mikilvæg vöruform rafeindakeramik í krafti hálfleiðara umbúðum, og varmaleiðni þeirra, vélrænni styrkur, áreiðanleiki og nákvæmni ákvarða beint afköst og endingartíma lokaafurða.